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公开（公告）号CN114078840B | 申请号CN202110540544.7 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人台湾积体电路制造股份有限公司 |
分类号H10D84/85(2025.01), H10D84/01(2026.01) | 优先权2020.10.26 US 63/105,502;2021.02.01 US 17/164,643 | 申请日2021-05-18 |
公开日2026-11-03 | 发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696769574500002 |
源数据页码1596 | 专利语言zh | |
提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：第一栅极结构，设置在第一后侧介电部件上方；第二栅极结构，设置在第二后侧介电部件上方；栅极切割结构，从第一栅极结构和第二栅极结构之间连续地延伸至第一后侧介电部件和第二后侧介电部件之间；以及衬垫，位于栅极切割部件和第一后侧介电部件之间以及栅极切割部件和第二后侧介电部件之间。本发明的实施例还涉及半导体结构。
附图 1