晶片的分离方法 · CN114256098B

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公开（公告）号CN114256098B	申请号CN202111079214.9	专利类型发明授权
状态有效	国家或地区CN	申请人株式会社迪思科
分类号H10P72/00(2026.01), H10P34/42(2026.01)	优先权2020.09.25 JP 2020-160683	申请日2021-09-15
公开日2026-10-23	发布日期2026-10-23	文档 ID84601452646100005
源数据页码1929	专利语言zh

摘要

本发明提供晶片的分离方法，能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。

附图

附图 1