需要我帮你解读这件专利吗?
公开(公告)号CN114334814B | 申请号CN202111098074.X | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人株式会社迪思科 |
分类号H10P58/00(2026.01), H10P70/00(2026.01), H10P50/24(2026.01), H10W74/01(2026.01) | 优先权2020.09.28 JP 2020-161638 | 申请日2021-09-18 |
公开日2026-10-23 | 发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601452646100003 |
源数据页码1929 | 专利语言zh | |
本发明提供晶片的加工方法,即使实施等离子蚀刻而分割成器件芯片,也不会使氟元素残留在划片带上,能够消除在后续工序中成为污染源的问题。晶片的加工方法包含如下的工序:树脂膜覆盖工序,在晶片的上表面上覆盖水溶性树脂并且在露出于晶片与框架之间的划片带上覆盖水溶性树脂(P),并使水溶性树脂固化,从而形成树脂膜;局部树脂膜去除工序,从晶片的待分割的区域将树脂膜去除而使晶片的上表面局部地露出;蚀刻工序,对晶片的待分割的区域实施等离子蚀刻而将晶片分割成各个芯片;以及全部树脂膜去除工序,对框架单元进行清洗而将树脂膜全部去除。
附图 1