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公开（公告）号CN114551401B | 申请号CN202110618074.1 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人爱思开海力士有限公司 |
分类号H10W20/43(2026.01), H10B41/30(2023.01), H10B41/20(2023.01), H10B43/30(2023.01), H10B43/20(2023.01), H10W20/00(2026.01) | 优先权2020.11.26 KR 10-2020-0161361 | 申请日2021-06-03 |
公开日2026-10-13 | 发布日期2026-10-13 | 文档 ID84535891958200003 |
源数据页码2112 | 专利语言zh | |
本申请涉及三维存储器装置及其制造方法。一种三维存储器装置包括：多条行线，其与多个层间介电层在垂直方向上交替地层叠在基板上，并且多条行线中的每一条具有从其侧表面突出的突出部；以及多个通孔，其从基板起在垂直方向上延伸，每个通孔联接至相应的行线的突出部，并且所述多条通孔将多条行线电联接到限定在基板下方的外围电路。
附图 1