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公开（公告）号CN114695725B | 申请号CN202011637707.5 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人TCL科技集团股份有限公司 |
分类号H10K50/115(2023.01), H10K50/15(2023.01), H10K101/40(2023.01) | 申请日2020-12-31 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696769548500005 | 源数据页码1595 |
专利语言zh | ||
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层和阴极，所述量子点发光层中包含核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层为ZnSeS，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.7eV。本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层具体为ZnSeS的前提下，根据ZnSeS的能级特性，此时要构建价带顶能级差(ΔEEML‑HTL)大于等于0.5eV的空穴注入势垒，则空穴传输材料的价带顶能级需要小于等于5.7eV。通过构建的空穴注入势垒，降低空穴注入速率，平衡发光层中电子空穴的注入效率，避免载流子积累，提高发光效率。
附图 1