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公开(公告)号CN115148572B | 申请号CN202210281422.5 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人东京毅力科创株式会社 |
分类号H01J37/32(2006.01), H10P72/00(2026.01) | 优先权2021.03.29 JP 2021-055553 | 申请日2022-03-21 |
公开日2026-11-03 | 发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696792686000000 |
源数据页码1660 | 专利语言zh | |
本公开涉及一种基板处理装置和基板搬送位置调整方法。基板处理装置具备:工艺模块,其包括载置台和边缘环,载置台设置于腔室的内部且具有第一载置面和第二载置面,边缘环载置于第二载置面;测定部,其测定基板的蚀刻速率;以及控制部,控制部进行控制以在特定的处理条件下将基板搬送到第一载置面的不同的搬送位置,并对每个搬送位置蚀刻基板;控制部针对每个搬送位置从测定部获取基板的端部附近的处于基板的同心圆上的多个地点处的蚀刻速率,基于获取到的每个搬送位置的各蚀刻速率的来生成同心圆的周向的各个近似曲线,控制部基于所生成的每个搬送位置的近似曲线来分别计算表示基板的移动方向的线性式,对计算出的各线性式的交点坐标进行计算。
附图 1