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公开(公告)号CN115312555B | 申请号CN202210615822.5 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人格科微电子(上海)有限公司 |
分类号H10F39/12(2025.01), H10F39/18(2025.01) | 申请日2022-06-01 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696802316100009 | 源数据页码1732 |
专利语言zh | ||
本发明提供一种图像传感器及形成方法,通过于衬底上形成第一外延层;采用碳离子注入工艺于所述第一外延层内形成初始第一吸杂层。碳离子可有效吸附金属离子,通过设置退火温度及退火过程,所述碳离子可以和氧离子之间快速反应并生成碳氧簇团,有效提升对金属离子的吸杂速率。同时,退火处理还修复了碳离子注入中带来的损伤。本发明还可以通过设置多层的初始第一吸杂层,以逐级捕获自衬底逃逸出的氧离子及金属离子。
附图 1