一种基于锗的杂质分凝源漏的场效应晶体管及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种基于锗的杂质分凝源漏的场效应晶体管及其制备方法。首先在锗衬底上沉积栅氧化层和金属栅层，通过光刻和刻蚀形成场效应晶体管的栅极结构；其次在栅极两侧形成场效应晶体管的肖特基结源漏区域，形成场效应晶体管器件。在制备源端时，采用与衬底掺杂相反的杂质分凝肖特基结，以提高源端的载流子注入电流速度，进一步提高沟道载流子的速度，提高器件的工作电流。同时在制备漏端时，采用与衬底掺杂相同的杂质分凝肖特基结，以减小漏端的电场强度，进一步减小高速载流子对晶格的碰撞，减少热电子效应，增强器件可靠性。本发明能够通过调节源漏肖特基势垒高度，有效提升器件的驱动电流，提高器件的可靠性。

附图

附图 1