一种磁子自旋力矩器件、存储结构及电子设备 · CN115802871B

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公开（公告）号CN115802871B	申请号CN202211379316.7	专利类型发明授权
状态有效	国家或地区CN	申请人清华大学
分类号H10N52/85(2023.01), H10B61/00(2023.01)	申请日2022-11-04	公开日2026-10-23
发布日期2026-10-23	文档 ID84601463406700005	源数据页码2010
专利语言zh

摘要

一种磁子自旋力矩器件、存储结构及电子设备，所述磁子自旋力矩器件包括：衬底，设置在所述衬底上的自旋源层，设置在所述自旋源层远离所述衬底一侧的磁子传输层，设置在所述磁子传输层远离所述衬底一侧的磁性结构层，其中，所述磁子传输层包括多铁反铁磁材料。本实施例提供的方案，使用多铁反铁磁材料作为磁子传输层，可以实现通过电场控制磁子自旋力矩，相比使用非多铁反铁磁材料作为磁子传输层的方案，电场可调，传输距离更远，损耗更小，能耗低。

附图

附图 1