一种图案化方法、图案化结构及半导体器件

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摘要

本发明公开了一种图案化方法、图案化结构及半导体器件，图案化方法包括：提供一衬底；在衬底的一表面形成图形外延诱导结构，图形外延诱导结构包括第一间隔和由第一间隔间隔开的第一凸起，第一凸起的材料为嵌段共聚物；在第一间隔内填充诱导层，并对形成第一凸起的嵌段共聚物进行定向自组装，以形成多个改质区域；选择性去除嵌段共聚物中的部分改质区域，以形成图案化结构，图案化结构的间隔尺寸与第一间隔的尺寸相同。本发明中的图案化方法及结构能够在应用于生产半导体器件时，提高半导体器件的空间利用率。

附图

附图 1