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公开（公告）号CN115867044B | 申请号CN202210811537.0 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人台湾积体电路制造股份有限公司 |
分类号H10B61/00(2023.01), H10N50/10(2023.01), H10N50/01(2023.01), G11C11/16(2006.01) | 优先权2021.11.26 US 63/283,353;2022.04.07 US 17/715,886 | 申请日2022-07-11 |
公开日2026-11-03 | 发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696802039300008 |
源数据页码1729 | 专利语言zh | |
本发明的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括源极区、漏极区、沟道区、栅极介电层、MTJ堆叠件和金属栅极。源极区和漏极区位于衬底上方。沟道区位于源极区和漏极区之间。栅极介电层位于沟道区上方。MTJ堆叠件位于栅极介电层上方。MTJ堆叠件包括第一铁磁层、具有可切换磁化的第二铁磁层以及位于第一和第二铁磁层之间的隧道势垒层。金属栅极位于MTJ堆叠件上方。
附图 1