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公开（公告）号CN116195071B | 申请号CN202280005814.7 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人新电元工业株式会社 |
分类号H10D18/80(2025.01), H10D18/00(2025.01) | 优先权2021.09.29 JP 2021-158660 | 申请日2022-09-13 |
公开日2026-10-13 | 发布日期2026-10-13 | 文档 ID84535890018800002 |
源数据页码2108 | 专利语言zh | |
本发明提供了能够提高(dv/dt)c耐量的双向晶闸管。本发明的双向晶闸管具有：第一导电型第一半导体层及第一导电型第二半导体层(11、21)、第二导电型第一半导体层及第二导电型第二半导体层(13、12)、配置于第二导电型第三半导体层的多个载流子释放部(11a)、第二导电型第四半导体层(15)、第一电极及第二电极(31、32)、栅电极(16)和钝化膜(17)，多个载流子释放部(11a)在第二导电型第三半导体层(14)形成开孔，第一导电型第一半导体层(11)位于该开孔内，多个载流子释放部(11a)配置于在俯视观察时从距栅电极有预定距离的位置到第一电极的外缘之间，多个载流子释放部以与第一电极的外缘相接的方式配置，多个载流子释放部的两个以上的载流子释放部相接的第一电极的外缘与钝化膜接触，在俯视观察时三角形(33)的面积小于四边形(22)的面积。
附图 1