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公开（公告）号CN116489999B | 申请号CN202210206451.5 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人旺宏电子股份有限公司 |
分类号H10B41/50(2023.01), H10B41/27(2023.01), H10B43/50(2023.01), H10B43/27(2023.01) | 优先权2022.01.12 US 17/574,170 | 申请日2022-03-02 |
公开日2026-10-23 | 发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601509225100006 |
源数据页码2189 | 专利语言zh | |
本公开提供一种半导体装置及其形成方法。在一个方面中，一种半导体装置包含：存储器单元的第一阵列结构，包含第一导电层；存储器单元的第二阵列结构，包含第二导电层；连接结构，沿着第一方向配置于第一阵列结构与第二阵列结构之间；以及电路，邻近于连接结构配置。连接结构包含：第一连接区及第二连接区，第一导电层及第二导电层经由第一连接区及第二连接区可电连接至电路；第一阶梯式结构，经设置以个别地暴露第一阵列结构中的第一导电层；第二阶梯式结构，经设置以个别地暴露第二阵列结构中的第二导电层。第一阶梯式结构及第二阶梯式结构沿着与第一方向垂直的第二方向配置于第一连接区与第二连接区之间。
附图 1