具有低寄生电感的SiC MOSFET功率模块 · CN116564954B

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公开（公告）号CN116564954B	申请号CN202310478001.6	专利类型发明授权
状态有效	国家或地区CN	申请人西安理工大学
分类号H10D80/20(2026.01), H10W70/62(2026.01), H10W70/685(2026.01)	申请日2023-04-28	公开日2026-11-03
发布日期2026-11-03	文档 ID84696808180800005	源数据页码1723
专利语言zh

摘要

本发明公开了具有低寄生电感的SiC MOSFET功率模块，包括衬底基板，衬底基板上设置有衬板，衬板顶部刻蚀有电路图形，且衬板上设置有数量相等的多个SiC功率芯片和多个SiC反向恢复二极管，SiC功率芯片与SiC反向恢复二极管一一对应反向并联，还包括设置在衬板上的功率正端、功率负端、交流端。本发明具有低寄生电感的SiC MOSFET功率模块在不增加工艺难度的基础上，显著降低了传统SiCMOSFET功率模块的寄生电感。

附图

附图 1