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公开（公告）号CN117199468B | 申请号CN202311126889.3 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人桂林理工大学 |
分类号H01M8/1253(2016.01), H01M8/126(2016.01) | 申请日2023-09-04 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601483776400002 | 源数据页码2086 |
专利语言zh | ||
一类具有Ruddlesden‑Popper(RP)型层状钙钛矿结构的氧离子导体材料Sr3Zr2‑xInxO7‑0.5x(x=0.1、0.2、0.3)及其制备方法。具体步骤如下∶(1)将纯度均为99.5%(质量百分比)以上的SrCO3、ZrO2以及In2O3原料按照设计不同的摩尔比组成（Sr3Zr1.9In0.1O6.95、Sr3Zr1.8In0.2O6.9、Sr3Zr1.7In0.3O6.85）称量配料;将称好的原料放置于研钵中，加适量的无水乙醇研磨30min；(2)将研磨后的粉末用模具进行压片，使用高温固相法，在1400℃预烧12h，得到预烧后的材料。(3)用研钵将预烧好的材料砸碎研磨后得到混合物，称取0.4g左右，压成圆片,通过在1600℃烧结12h，得到致密的陶瓷片。对其进行XRD测试得到目标产物相Sr3Zr2O7。对其进行EIS阻抗测试分析其电学性能。本发明的产品具备较高的导电率，且制备方法简单，成本低。
附图 1