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公开（公告）号CN117245947B | 申请号CN202311269707.8 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人四达氟塑股份有限公司 |
分类号B29C71/00(2006.01), B08B3/08(2006.01), B08B13/00(2006.01) | 申请日2023-09-27 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601504787100002 | 源数据页码2175 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种全氟密封圈的后处理方法，步骤为：S01:制备全氟密封圈；S02:将制备完成的全氟密封圈放入氢氟酸溶液中进行浸泡；S03:将浸泡后的全氟密封圈取出，干燥后，再次放入异丙醇溶液中浸泡；S04:将浸泡后的全氟密封圈从异丙醇溶液中取出，对异丙醇溶液进行滴定测样；本发明所述的全氟密封圈后处理方法，经过本方法处理后的全氟密封圈能够有效降低产品所含的金属阳离子；在半导体和液晶显示行业内，适用本方法能够有效提高湿蚀刻中晶圆的质量，并且本方法操作简单方便，仅需通过溶液浸泡就可以达到较好的处理效果，经济高效。
附图 1