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公开（公告）号CN117277806B | 申请号CN202311255314.1 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人上海南芯半导体科技股份有限公司 |
分类号H02M3/158(2006.01), H02M1/08(2006.01), H02M1/088(2006.01), H02M1/00(2007.01), H02M1/36(2007.01) | 申请日2023-09-26 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601461948100008 | 源数据页码1992 |
专利语言zh | ||
本申请提供一种驱动电路及开关电源电路。该电路包括：初启驱动器、第一电路通断器和电容性驱动器。通过在控制信号控制导通高侧功率晶体管时，初启驱动器驱动高侧功率晶体管，使高侧功率晶体管的栅源电压从0V增加至电压阈值，使高侧功率晶体管的栅极寄生电容的部分充电电荷来自初启驱动器，避免高侧功率晶体管直接从电容性驱动器取电。在高侧功率晶体管的栅源电压为电压阈值时，初启驱动器停止驱动高侧功率晶体管。在初启驱动器停止驱动高侧功率晶体管时，第一电路通断器连通电容性驱动器和高侧功率晶体管，使电容性驱动器向高侧功率晶体管充电。从而节省集成自举电容的电荷，减小高侧功率晶体管的导通损耗，提高DC‑DC转换器的工作效率。
附图 1