集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN117296463B | 申请号CN202280033120.4 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人应用材料公司 |
分类号H10B12/00(2023.01) | 优先权2021.05.05 US 17/308,577 | 申请日2022-05-04 |
公开日2026-11-03 | 发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696767454100006 |
源数据页码1572 | 专利语言zh | |
描述了形成存储器装置的方法。形成硅化钼成核层，并且在块体钼间隙填充工艺之前，将基板浸泡在钛前驱物中。在其他实施方式中，在第一工艺循环中形成硅化钼膜，并且在基板暴露于钛前驱物的情况下执行第二工艺循环。在进一步的实施方式中，基板(基板具有在基板上的至少一个特征)暴露于第一钛前驱物及含氮反应物。随后将基板浸泡在第二钛前驱物中，并且随后基板暴露于第一钼前驱物，之后再暴露于硅烷，以在基板的表面上形成硅化钼层。
附图 1