集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN117666279B | 申请号CN202211033524.1 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
分类号G03F1/44(2012.01), G03F1/42(2012.01), G03F7/20(2006.01), G03F9/00(2006.01), H10P74/20(2026.01), H10P76/20(2026.01) | 申请日2022-08-26 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696799685800003 | 源数据页码1707 |
专利语言zh | ||
一种掩模板及其组件、半导体结构及其形成方法和量测方法，所述掩模板包括：至少1个量测图形结构，所述量测图形结构包括：梳状图形、半链状图形和T型图形中的至少1个；对述掩模板所构成掩模组件所形成的半导体结构进行量测时，根据所述至少1个第一定位图形和所述至少1个第二定位图形，量测拼接偏移量。根据电学性能测试结果，监控掩模拼接情况，精度更高，能够准确判断图形对准情况，也为线上缺陷扫描增加了监测位置。
附图 1