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公开（公告）号CN117791164B | 申请号CN202311836339.0 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人电子科技大学 |
分类号H01Q15/00(2006.01), H01Q1/50(2006.01), H01Q1/38(2006.01) | 申请日2023-12-28 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601520619900003 | 源数据页码2261 |
专利语言zh | ||
本发明公开一种基于HEMT的太赫兹极化复用超表面，涉及太赫兹器件技术领域，解决现有超表面无法在具有高隔离度和高开关比的同时兼具有很高的调制速率的技术问题；本发明包括衬底和设于衬底上方的水平极化调制结构即X结构和垂直极化调制结构即Y结构，所述水平极化调制结构包括周期延拓的水平极化调制结构单元，所述垂直极化调制结构包括周期延拓的垂直极化调制结构单元，所述X结构和所述Y结构中均嵌有HEMT；本发明基于HEMT技术，实现了对电磁波的快速控制，能够满足高速通信系统对调制速率的要求。
附图 1