一种低腐蚀、低残留的半导体清洗液、制备方法及其用途

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摘要

本发明涉及一种低残留、低腐蚀的半导体清洗液，以质量份计，所述清洗液包括超纯水80‑90份、六氟磷酸盐3‑8份、有机碱10‑30份、螯合剂0.1‑2份和双组份腐蚀抑制剂0.1‑1份，所述双组份腐蚀抑制剂包括A剂和B剂，A剂为腺苷、鸟苷中的至少一种，B剂为聚乙二醇二胺和二巯基聚乙二醇中的至少一种。所述清洗液尤其是通过双组份腐蚀抑制剂的使用，可以取得优异的低残留和低金属腐蚀性能，且清洗简单，在半导体清洗领域具有优异的技术效果和应用前景。

附图

附图 1