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公开（公告）号CN117937391B | 申请号CN202311772164.1 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人南京华士电子科技有限公司 |
分类号H02H7/20(2006.01), H02H3/10(2006.01), H02H3/20(2006.01), H02H1/00(2006.01), H03K17/081(2006.01), H03K17/0812(2006.01) | 申请日2023-12-21 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601467050100005 | 源数据页码1890 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种IGBT两级退饱和保护电路，Desat_H保护电路与Desat_L保护电路分别通过检测电路检测IGBT的集电极电位的变化，输入比较器负极，比较器正极连接消隐电路；将比较器负极电压与消隐电路中的阈值电压进行比较；根据比较结果，若比较器负极电压大于或等于阈值电压，则通过Desat输出电路输出一类或二类保护；若比较器负极电压小于阈值电压，则不触发保护；电源电路用于供电。本发明设计简单有效，器件体积小，布局紧凑，占用体积小；相较于现有的技术当中依靠芯片来检测故障的电路，本发明占用成本低。
附图 1