一种具有光子循环功能的紫外芯片结构及制备方法

著录项目

摘要

本发明属于紫外芯片技术领域，具体涉及一种具有光子循环功能的紫外芯片结构及制备方法，芯片结构包括衬底、缓冲层、n‑AlGaN薄膜、MQW薄膜、p‑EBL薄膜、p‑AlGaN薄膜、p‑GaN薄膜、光子循环结构薄膜、n型欧姆接触电极和p型欧姆接触电极，所述缓冲层生长在衬底上，所述n‑AlGaN薄膜分别生长在缓冲层和衬底上，所述p‑EBL薄膜生长在MQW薄膜上，所述p‑AlGaN薄膜生长在p‑EBL薄膜上，所述p‑GaN薄膜生长在p‑AlGaN薄膜上，所述光子循环结构薄膜生长在p‑GaN薄膜上，所述p型欧姆接触电极生长在光子循环结构薄膜和p‑GaN薄膜上。本发明采用掩膜刻蚀工艺及二次外延工艺制备光子循环结构薄膜，提高了紫外LED芯片的光提取效率。

附图

附图 1