集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN120625182B | 申请号CN202510790278.1 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人安徽光智科技有限公司 |
分类号C30B30/02(2006.01), C30B15/12(2006.01), C30B29/08(2006.01) | 申请日2025-06-13 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601479359100010 | 源数据页码2056 |
专利语言zh | ||
提供一种高纯锗晶体提拉生长设备以及生长方法。高纯锗晶体提拉生长设备包括炉体、内石英坩埚、外石墨坩埚、加热器、提拉杆、籽晶及直流电源；内石英坩埚和外石墨坩埚设置在炉体内，内石英坩埚固定于外石墨坩埚内，内石英坩埚和外石墨坩埚在竖直方向和周向上间隔开，内石英坩埚用于盛放锗锭；加热器用于加热以使锗锭形成熔体；提拉杆设于炉体且能够升降和旋转，提拉杆能够导电；籽晶用于安装在提拉杆的末端；直流电源的负极端和正极端分别电连接于提拉杆和外石墨坩埚，直流电源用于在籽晶随着提拉杆提升从内石英坩埚的熔体拉提生长高纯锗晶体过程中施加电势。高纯锗晶体提拉生长方法采用前述的高纯锗晶体提拉生长设备。
附图 1