BSG层制备方法、TBC电池及其制备方法 · CN121335267B

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公开（公告）号CN121335267B	申请号CN202511483264.1	专利类型发明授权
状态有效	国家或地区CN	申请人TCL中环新能源科技股份有限公司
分类号H10F71/00(2025.01), H10F77/30(2025.01), H10F10/10(2025.01), H10P72/00(2026.01)	申请日2025-10-15	公开日2026-11-03
发布日期2026-11-03	文档 ID84696765078900006	源数据页码1545
专利语言zh

摘要

本发明提供了一种BSG层制备方法、TBC电池及其制备方法，涉及太阳能电池的技术领域，所述BSG层制备方法包括在通过硼扩散形成的初始BSG层上制备均匀化BSG层，所述初始BSG层与所述均匀化BSG层叠加形成完整BSG层；所述均匀化BSG层通过至少两个循环单元制备得到；所述循环单元包括沉积BSG层和采用修复气体对BSG层进行修整处理，其中，各沉积步骤的温度沿工艺顺序依次降低。本发明通过分步变温沉积BSG方式与每步沉积前后都去除不平整薄层的有效结合，达到BSG层均匀性的提高，最终提高良率及转换效率。

附图

附图 1