一种单壁碳纳米管及其制备方法 · CN121849920B

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公开（公告）号CN121849920B	申请号CN202610094387.4	专利类型发明授权
状态有效	国家或地区CN	申请人华燚新能源材料（上海）有限公司
分类号C01B32/159(2017.01), C01B32/162(2017.01), C01B32/17(2017.01)	申请日2026-01-23	公开日2026-11-03
发布日期2026-11-03	文档 ID84696795293100003	源数据页码1680
专利语言zh

摘要

本发明涉及纳米材料制备与电化学能源存储技术领域，具体涉及一种单壁碳纳米管以及其制备方法。该制备方法通过采用浮动催化剂化学气相沉积（FCCVD）法，使用二茂铁与升华硫的复合物作为催化剂前驱体，并采用具备至少三个独立温区的水平管式炉，通过特定的分阶段程序升温策略，依次精确控制前驱体升华区、催化剂形成与活化区以及主生长区的温度。其中，主生长区温度精准控制在1000℃的最佳窗口。该方法有效抑制了多壁碳纳米管和缺陷结构的生成，能够稳定制备出石墨化程度高、金属残留少的单壁碳纳米管。本发明工艺可控性强，为高性能单壁碳纳米管的规模化制备提供了可靠方案。

附图

附图 1