一种基于四英寸硅基片电化学腐蚀制备多孔硅装置及方法

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摘要

本发明属于多孔硅制备技术领域，具体涉及一种基于四英寸硅基片电化学腐蚀制备多孔硅装置及方法，包括第一固定旋钮、第一放置槽、腐蚀槽体、第二放置槽、正极电极、负极电极、第二固定旋钮及腐蚀溶液固定盖；第一放置槽、第二放置槽上的腐蚀槽固定接口分别与腐蚀槽体两端的电极槽固定口螺纹连接，第一放置槽、第二放置槽上均设置有固定旋钮固定接口，第一放置槽通过固定旋钮固定接口与第一固定旋钮螺纹连接，第二放置槽通过固定旋钮固定接口与第二固定旋钮螺纹连接。本发明通过将腐蚀正极与硅片直接接触并且在硅片背面溅射一层铝电极增加导电性，同时另一侧采用四英寸铂电极做为腐蚀负极，达到了腐蚀时正负极正向平行接触。