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公开（公告）号CN122419152B | 申请号CN202610500675.5 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人厦门闯新科技有限公司 |
分类号H02M1/00(2007.01), H02M1/44(2007.01), H02M1/08(2006.01), H03K17/687(2006.01), H03K7/08(2006.01), G05F1/56(2006.01) | 申请日2026-04-16 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696770531200003 | 源数据页码1608 |
专利语言zh | ||
本发明涉及电力电子与半导体控制技术领域，公开了一种MOSFET栅极驱动控制方法，包括读取参数并导通推挽支路注入脉冲电流，输出经预补偿调降的预触发基准电压；栅源电压触及开启阈值时触发定时器计时，激活消隐窗口屏蔽比较器输入；触碰预触发基准时停止计时锁存时间差参量，同步断开推挽支路并导通恒流电路；比对时间差参量判定下周期驱动电流梯度级别，修正补偿量覆写查找表完成迭代。通过提前偏移基准电压精准抵消固有硬件传播延迟，防止引发栅极电荷过驱动，结合消隐窗口抗干扰与跨周期参数迭代评估机制，使驱动系统具备应对负载波动能力，兼顾开关效率。
附图 1