一种半导体器件及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底；半导体本体，位于衬底的一侧；半导体本体包括漂移区、体区和第一区域；半导体本体的中间区域还设置有第一沟槽；沿第一方向，体区以及第一区域均位于第一沟槽的两侧；第一方向平行于衬底；屏蔽栅和控制栅，沿垂直于衬底的方向，屏蔽栅与控制栅间隔位于第一沟槽内；源极、漏极和栅极，源极和栅极间隔位于半导体本体远离衬底的一侧；二极管结构，沿第二方向，二极管结构位于控制栅的两侧；栅极与二极管结构的正极连接，屏蔽栅与二极管结构的负极连接；第二方向平行于衬底，且第一方向与第二方向垂直。本发明可以降低器件的导通电阻。

附图

附图 1