原子层刻蚀控制系统、方法、存储介质及刻蚀设备

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摘要

本发明涉及半导体检测技术领域，公开了一种原子层刻蚀控制系统、方法、存储介质及刻蚀设备，系统包括刻蚀模块、检测模块、反馈调节模块和控制模块；刻蚀模块包括反应腔室及静电卡盘、偏压供电单元、等离子体发生单元、气体注入系统和抽气系统；检测模块包括设置于反应腔室内不同空间位置的多个采样单元、红外光谱分析单元及温度与压力反演单元，用于从不同空间位置抽取气样并分析，以确定各采样单元对应位置处的气体浓度、温度及压力并生成空间分布信息；反馈调节模块根据空间分布信息生成工艺调节指令；控制模块输出指令驱动执行器。本发明能够实时感知反应腔室内部的浓度空间分布差异并分区补偿，将晶圆内刻蚀均匀性控制在原子层级别。

附图

附图 1