一种自旋可调阻变器件及其制备方法 · CN122699560B

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公开（公告）号CN122699560B	申请号CN202611176925.0	专利类型发明授权
状态有效	国家或地区CN	申请人武汉理工大学
分类号H10N70/00(2023.01), H10N70/20(2023.01)	申请日2026-08-05	公开日2026-10-23
发布日期2026-10-23	文档 ID84601473066500000	源数据页码2021
专利语言zh

摘要

本发明涉及阻变器件制备的技术领域，尤其涉及一种自旋可调阻变器件及其制备方法，包括下列步骤：对MgO单晶衬底进行预处理，得到预处理后的MgO衬底；通过脉冲激光沉积在预处理后的MgO衬底表面以第一温度外延生长TiN外延薄膜，作为底电极层；在不取出样品的条件下，切换至含氧气气氛，并以第二温度通过脉冲激光沉积在底电极层表面外延生长NiFe2O4薄膜作为功能层，其中第二温度高于第一温度；在功能层表面通过光刻形成器件窗口，并采用电子束蒸镀或磁控溅射沉积制备顶电极，随后剥离得到自旋可调阻变器件。本发明制备得到的器件同时具备稳定的阻变特性与可利用的磁/自旋自由度，实现了电场与磁场对阻变行为的协同调控。

附图

附图 1