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公开（公告）号CN122787833B | 申请号CN202611254261.5 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人四川瑞莱斯精密机械有限公司 |
分类号B24B1/00(2006.01), C23C16/34(2006.01), C23C16/505(2006.01), C23C16/02(2006.01), C23F1/00(2006.01), G05B13/04(2006.01), B24B49/00(2012.01), B08B3/12(2006.01), B24B51/00(2006.01), G06F18/213(2023.01), G06F18/2411(2023.01), G06F18/27(2023.01) | 申请日2026-08-18 | 公开日2026-10-23 |
发布日期2026-10-23 | 文档 ID84601511563900010 | 源数据页码2207 |
专利语言zh | ||
本发明公开了抑制杂散电场离子阱电极表面抛光处理方法，涉及精密仪器加工及表面处理技术领域，方法包括：对离子阱电极基体清洗蚀刻；采集三维形貌仿真定位靶向位点；规划路径参数进行柔性抛光并采集声发射、振动信号；通过变分模态分解、希尔伯特黄变换提取频带能量，输入支持向量回归预测残余应力，经模型预测控制生成空间差分电流调节磁流变液屈服应力；聚焦离子束定点剥离微观畸变；低温时效及氩离子轰击重构压应力；沉积氮化硅薄膜；交变老化筛选。本发明实现了表面物理形态平整化与亚表面晶格应力均一化的同步控制，有效抑制杂散电场。
附图 1