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公开（公告）号CN122867741B | 申请号CN202611341096.7 | 专利类型发明授权 |
状态有效 | 国家或地区CN | 申请人深圳中安辰鸿技术有限公司;深圳硅基芯擎技术有限公司 |
分类号G11C11/41(2006.01), H10B10/00(2023.01), G11C11/413(2006.01) | 申请日2026-09-01 | 公开日2026-11-03 |
发布日期2026-11-03 | 文档 ID84696799161200007 | 源数据页码1664 |
专利语言zh | ||
本发明涉及半导体存储器领域，特别是涉及一种静态随机存储器，包括存储单元阵列区域，以及位于所述存储单元阵列区域外围的输入输出区域和驱动控制区域；两个区域均包括沿第二方向依次排布的多个逻辑单元；各逻辑单元的高度相同，且仅包括两个鳍片组，每个鳍片组由三条沿第一方向延伸的鳍片组成；相邻鳍片组中的鳍片端部对齐；存储单元的边界与逻辑单元的边界起始点对齐，4个存储单元的总高度与3个逻辑单元的总高度相等，并以此为周期重复对齐。本发明使外围区域的鳍片图形归一，降低了器件漏电，提升了版图密度。
附图 1