集思谱需要我帮你解读这件专利吗？
公开（公告）号CN122897365A | 申请号CN202611218508.8 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人中芯集成电路（宁波）有限公司 |
分类号B81C1/00(2006.01), B81B7/00(2006.01), B81B7/02(2006.01) | 申请日2026-08-11 | 公开日2026-10-13 |
发布日期2026-10-13 | 文档 ID84538536181000000 | 源数据页码111 |
专利语言zh | ||
本发明提供了一种MEMS器件的制作方法和MEMS器件，其中，制作方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆设置有凹槽；提供第二晶圆，并将第二晶圆与第一晶圆的一侧熔融键合，以密封凹槽形成第一空腔；提供第三晶圆，并将第三晶圆与第二晶圆远离第一晶圆的一侧熔融键合，以形成第二空腔。通过将第二晶圆与第一晶圆进行熔融键合，以及将第二晶圆与第三晶圆进行熔融键合，保证了第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆之间的键合界面的密封性，因此，制程中无需额外制作疏水层进行辅助密封，也就从根源上避免了因为疏水层残留导致键合结合力的问题，同时，由于省去了设置疏水层的相关步骤，也简化了整体制成工艺步骤。
附图 1