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公开(公告)号CN122898274A | 申请号CN202611154636.0 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
分类号C09K11/67(2006.01), G01T1/202(2006.01) | 申请日2026-07-31 | 公开日2026-10-13 |
发布日期2026-10-13 | 文档 ID84535932589300002 | 源数据页码247 |
专利语言zh | ||
本发明涉及发光材料技术领域,具体提供一种铕离子掺杂钽酸镁长余辉材料、其制备方法和应用,化学通式为:Mg4‑xEuxTa2‑xHfxO9;其中,x为铕离子掺杂的摩尔比,x的取值范围为0.005≤x≤0.05;本发明提供的铕离子掺杂钽酸镁长余辉材料具有较高的有效原子序数和密度,对X射线具有较强吸收能力,能够有效提高成像灵敏度;通过Eu3+掺杂调控材料中的发光中心与陷阱能级分布,实现余辉强度与持续时间的优化匹配,有利于X射线信息的高效存储与稳定释放;有利于降低实时成像对高剂量辐射与高速探测系统的依赖,可应用于低剂量医学成像、安全检测以及工业无损检测等领域。
附图 1