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公开（公告）号CN122907101A | 申请号CN202611168811.1 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人南京大学 |
分类号G11C11/16(2006.01), G06F17/16(2006.01), G06N3/045(2023.01), G06F7/544(2006.01) | 申请日2026-08-04 | 公开日2026-10-13 |
发布日期2026-10-13 | 文档 ID84538526580900000 | 源数据页码33 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种基于磁电阻随机存储器（MRAM）的浮点乘累加运算存内计算实现方法及其电路结构。本发明通过由若干集成MRAM器件和晶体管的单元结构并联组成的计算列，配合电容阵列对位线进行放电，实现基础乘累加计算功能；本发明通过对浮点数乘累加运算流程进行拆分，针对浮点数尾数的乘累加运算设计专用计算机制，能够在无额外电路开销的前提下，支持对可重构多精度运算的扩展性应用。本发明为边缘设备的高精度浮点矩阵运算场景提供了一种高密度、高能效的存内计算解决方案。
附图 1