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公开（公告）号CN122910685A | 申请号CN202580020211.8 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人SOITEC公司 |
分类号H10N30/073(2006.01), H10N30/072(2006.01), H10N30/086(2006.01), H10N30/80(2006.01) | 优先权2024.03.14 FR FR2402548 | 申请日2025-02-12 |
公开日2026-10-13 | 发布日期2026-10-13 | 文档 ID84535934897900000 |
源数据页码144 | 专利语言zh | |
本发明涉及一种制造用于制造绝缘体上压电POI结构的异质结构的方法，所述方法包括：提供支撑衬底，在支撑衬底上或上方形成压电材料块，去除压电材料块的第一外周部分和支撑衬底的第一外周部分，以获得支撑衬底的具有均方根高度Sq在0.4µm至0.8µm的范围内的粗糙度的暴露部分，在去除压电材料块的第一外周部分之后减薄压电材料块，以获得压电衬底。
附图 1