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公开（公告）号CN122935229A | 申请号CN202611425289.0 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人荣芯半导体（宁波）有限公司 |
分类号H10W10/00(2026.01), H10W10/17(2026.01), H10P14/60(2026.01), H10P50/28(2026.01), H10P72/00(2026.01) | 申请日2026-09-15 | 公开日2026-10-16 |
发布日期2026-10-16 | 文档 ID84597694201600006 | 源数据页码7 |
专利语言zh | ||
本申请提供一种减少半导体工艺中金属污染的方法及半导体器件，半导体工艺包括沉积工艺和刻蚀工艺，方法包括：将晶圆放置于半导体设备中，执行沉积工艺，以在晶圆上形成目标材料层，其中，在沉积工艺结束后，沉积工艺所在的反应腔室中残留有第一气体；在沉积工艺结束后，且在刻蚀工艺开始前，执行气体隔离操作，以阻断第一气体与刻蚀工艺中通入的第二气体反应生成水汽，其中，气体隔离操作为时序物理隔离或空间物理隔离；执行刻蚀工艺，以对目标材料层进行刻蚀。本申请通过在执行刻蚀工艺之前执行气体隔离操作，从源头阻断第一气体与第二气体反应生成水汽，避免生成酸性物质腐蚀金属部件，减少晶圆的金属污染，改善器件性能和产品良率。
附图 1