一种光电忆阻器用MoS<sub>2</sub>量子点的制备方法 · CN122940204A

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公开（公告）号CN122940204A	申请号CN202510461419.5	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人西安工业大学
分类号C01G39/06(2006.01), H10N70/00(2023.01), B82Y20/00(2011.01), B82Y40/00(2011.01), C09K11/68(2006.01)	申请日2025-04-14	公开日2026-10-20
发布日期2026-10-20	文档 ID84597867276000003	源数据页码560
专利语言zh

摘要

本发明涉及纳米生物材料技术领域，具体涉及一种光电忆阻器用MoS2量子点的制备方法。其采用的制备方法为：采用钼源与硫脲作为反应物，采用去离子水作为溶剂，盐酸或氨水调节溶液pH，转移至高压反应釜，密封后置于烘箱进行反应，结束后充分冷却至室温，使用去离子水反复冲洗去除残留离子，利用离心机分离出MoS2，真空烘干得到MoS2粉末；将MoS2粉末和去离子水加入离心管中进行混合，然后将离心管置于双层烧杯中，设定循环冷却水温度为18°C，将混合好的溶液进行超声破碎，得到反应液；得到的反应液再低速离心处理得到上清液即可。本发明方法制备的MoS2量子点具有尺寸均匀、纯度高以及工艺可控性强的特点。

附图

附图 1