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公开（公告）号CN122942168A | 申请号CN202610884895.2 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人安徽光智科技有限公司 |
分类号C30B29/08(2006.01), C30B23/00(2006.01) | 申请日2026-06-18 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597880194600003 | 源数据页码844 |
专利语言zh | ||
本发明涉及半导体材料加工技术领域，具体为一种高纯锗霍尔片欧姆电极的制作治具及方法，包括以下步骤：S1、样品预处理：将切割好的高纯锗霍尔片依次进行表面腐蚀、清洗、干燥，得到表面洁净的霍尔片，所述高纯锗的载流子浓度为1×109‑5×109cm⁻³；S2、非接触装载：使用真空吸笔拾取所述霍尔片，将其置入一专用制作治具的放片槽中，该放片槽仅对应霍尔片的四角开设有电极孔，盖板遮蔽霍尔片的其余表面。本发明取消高温合金化退火，电极形成全程以真空、Ar与H2混合气以及N2的环境衔接，霍尔片最高温升仅来自低功率溅射的工艺温升，避免热激活杂质和缺陷，保障高纯锗霍尔片的纯度与低温输运参数可信度。
附图 1