超高速硅光调制器共面波导电极及制备方法 · CN122945283A

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公开（公告）号CN122945283A	申请号CN202611281449.9	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人埃睿（深圳）光子科技有限公司
分类号G02F1/03(2006.01), G02B6/122(2006.01), G02B6/13(2006.01), G02B6/136(2006.01), G02B6/12(2006.01)	申请日2026-08-24	公开日2026-10-20
发布日期2026-10-20	文档 ID84597861425600000	源数据页码671
专利语言zh

摘要

本发明公开一种超高速硅光调制器共面波导电极，所述电极包括第一地电极、第二地电极和射频信号电极，所述第一地电极、第二地电极和射频信号电极均包括厚度在第一厚度范围的铜电极；所述第一地电极和所述第二地电极朝向所述射频信号电极的侧壁与水平衬底基面的内夹角为非垂直的第一倾斜夹角，所述射频信号电极的横截面呈上窄下宽的正梯形，且所述射频信号电极朝向所述第一地电极的侧壁和朝向所述第二地电极的侧壁与水平衬底基面的内夹角均为所述非垂直的第一倾斜夹角，相邻电极的倾斜侧壁在相邻狭缝处构成上宽下窄的倒梯形开放介质槽，以引导高频电力线向空气层外溢；其中，所述第一倾斜夹角值在第一夹角范围内。

附图

附图 1