硅基热光激活函数半导体器件的制造方法及相关设备

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摘要

本申请实施例提供一种硅基热光激活函数半导体器件的制造方法及相关设备，包括提供硅衬底；在硅衬底的表面制备埋氧层；在埋氧层的表面设置顶层硅，并对顶层硅进行图案化处理，形成硅与二氧化硅的二值化非周期拓扑结构；在图案化的顶层硅表面形成薄膜加热电极，薄膜加热电极接入归一化驱动电压，使器件输出透射率呈现Sigmoid变化特性。该方法可以提高非线性映射精度。

附图

附图 1