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公开（公告）号CN122952601A | 申请号CN202611068582.6 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人长江存储科技有限责任公司 |
分类号H10B41/35(2023.01), H10B41/27(2023.01), H10B43/35(2023.01), H10B43/27(2023.01) | 申请日2022-01-13 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597896167300003 | 源数据页码164 |
专利语言zh | ||
本申请提供了一种存储装置及其制造方法，所述方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括：第一衬底以及位于所述第一衬底上的第一氧化层、第一缓冲层和叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅极牺牲层；形成依次贯穿所述叠层结构和所述第一缓冲层的孔结构；在所述孔结构内所述第一缓冲层暴露的侧面外延形成第一外延层。上述方法中，刻蚀形成孔结构之后，在孔结构内第一缓冲层暴露的侧面外延形成第一外延层，且第一外延层形成孔结构的底部，从而在无需通过刻蚀工艺控制孔结构的底部齐平的情况下，实现不同孔结构的底部基本齐平，不仅能够极大地降低刻蚀工艺的难度，还能够提高孔结构的一致性。
附图 1