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公开（公告）号CN122952609A | 申请号CN202610996489.5 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人苏州科技大学 |
分类号H10B61/00(2023.01), H10N50/10(2023.01), H10N50/80(2023.01), G11C11/56(2006.01) | 申请日2026-07-06 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597854910700006 | 源数据页码752 |
专利语言zh | ||
一种基于铁电序参量调控的可编程忆感器及其应用，从下到上包括导电衬底、序参量电感材料层和至少两个顶电极，相邻顶电极间沟道构成忆感功能区域。该材料层具有铁电序，在特定温区无长程磁序，仅存在局域磁矩和局域手性自旋关联；以铁电序为核心，通过极化与手性自旋动力学耦合，脉冲下极化经Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用（DMI）驱动振荡，在阻抗中产生正电感，调控极化大小即可调电感，实现本征忆感。将序参量电感与铁电隧道结集成阵列，可编程多级感应状态，与电阻态复用，构建图案化感应存储器，并借交直流耦合调谐共振频率响应。将电感变为可写状态，填补忆感器空白。
附图 1