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公开(公告)号CN122952618A | 申请号CN202510455081.2 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
分类号H10D1/68(2025.01) | 申请日2025-04-11 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597896167300002 | 源数据页码164 |
专利语言zh | ||
本发明提供一种电容器及其制备方法,制备方法包括以下步骤:提供设有沟槽的衬底,于衬底的第一面及沟槽内形成第一介质层,于第一介质层上依次形成下电极层、介电层、上电极层及第二介质层,通过刻蚀工艺显露下电极层的两端及第一介质层的两端,于第一介质层上依次形成第三介质层及第四介质层,形成贯穿第四介质层、第三介质层及第二介质层与上电极层电连接的第一焊盘和贯穿第四介质层、第三介质层及第二介质层与上电极层电连接的第二焊盘,于第三介质层上形成层间介质层,形成贯穿层间介质层与第一焊盘电连接的第一导电柱及贯穿层间介质层与第二焊盘电连接的第二导电柱。本发明的电容器能够在有限的封装空间内实现电容值的显著提升。
附图 1