LDMOS器件及其制造方法 · CN122952634A

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公开（公告）号CN122952634A	申请号CN202611433246.7	专利类型发明专利
状态在审	国家或地区CN	申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
分类号H10D30/01(2025.01), H10D30/65(2025.01), H10D64/00(2025.01), H10D64/27(2025.01)	申请日2026-09-16	公开日2026-10-20
发布日期2026-10-20	文档 ID84597854910700003	源数据页码752
专利语言zh

摘要

本申请提供了一种LDMOS器件及其制造方法，属于半导体技术领域，所述制造方法包括：提供衬底，衬底包括体区及漂移区预留区域；形成多个间隔设置的芯轴结构；形成栅介质层，及形成栅导电层覆盖栅介质层，并填充于相邻芯轴结构之间；去除芯轴上的包覆层及芯轴，剩余的包覆层为侧墙结构，在体区上形成栅极结构，在漂移区预留区域上形成场板结构，栅导电层的宽度沿远离衬底的方向增大，相对应的两个侧墙结构相互靠近的侧壁呈圆弧形，相对应的两个侧墙结构相互远离的侧壁呈陡直状；以场板结构为掩模，对暴露的漂移区预留区域进行离子注入以形成漂移区。本申请可简便且低成本地同时改善击穿电压和导通电阻。

附图

附图 1