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公开（公告）号CN122952672A | 申请号CN202610785139.4 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人重庆平伟半导体股份有限公司 |
分类号H10D84/80(2025.01), H10D84/01(2026.01), H10D64/27(2025.01), H10D64/23(2025.01) | 申请日2026-06-02 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597698178700003 | 源数据页码10 |
专利语言zh | ||
本发明公开一种集成碳化硅栅源二极管的SGT器件及其制造方法，通过使用PN结耗尽层代替层间氧化层的概念，将原本沟槽内的多晶硅栅极‑氧化层‑多晶硅分离栅结构转化成对应相同厚度的N型多晶碳化硅栅极‑低掺杂N型碳化硅‑P型碳化硅分离栅这样的PIN二极管结构。该结构使SGT器件在短路耐受测试中，利用栅源二极管反向电流的正温度特性，使短路发生时，局部温升会导致集成PIN的栅源漏电增大，而增大的漏电流能利用栅极电阻自动减小栅极电压以提高其短路耐受能力。同时，通过仿真结果的对比，其替代后的正向导通及耐压特性与常规结构基本一致。
附图 1