包括中间绝缘结构的半导体器件和制造半导体器件的方法

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摘要

提供了一种半导体器件，该半导体器件具有下结构、上结构和位于下结构和上结构之间的中间绝缘结构。下结构包含下源/漏区、下有源层和设置在下有源层上方的下栅极结构。上结构包含上源/漏区、上有源层和设置在上有源层下方与下栅极结构竖直地重叠的上栅极结构。中间绝缘结构包括位于上结构下方的绝缘结构和下结构上的阻挡结构。阻挡结构具有阻挡绝缘层和设置在阻挡绝缘层上方的阻挡图案，阻挡图案围绕绝缘结构并与上源/漏区的下表面接触。

附图

附图 1