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公开（公告）号CN122952688A | 申请号CN202610923930.7 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人华虹半导体（无锡）有限公司 |
分类号H10D89/60(2025.01) | 申请日2026-06-24 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597698178600000 | 源数据页码10 |
专利语言zh | ||
本发明公开了一种三端口双向SCR结构的ESD保护器件，在衬底中的一整体隔离区中，包含从左至右的A、B、C三个相邻的子隔离区；所述的A隔离区中形成端口1，C隔离区中形成端口2，位于中间的B隔离区中形成端口3；所述的端口1至端口3，以及端口2至端口3，均构成双向SCR；端口3接地，作为端口1和2共享的泄放路径，形成两组双向SCR通路。本发明结构可以多路I/O共享一路泄放路径，且I/O路数越多结构集成效率越高，芯片面积节约越明显，适合高密度多I/O端口的芯片；具备双向防护能力，解决负压总线I/O对GND漏电问题，可灵活调节击穿电压，不同结构适配不同电压应用场景需求；ESD电流泄放能力强，钳位效果优异。
附图 1