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公开（公告）号CN122952763A | 申请号CN202611114231.4 | 专利类型发明专利 |
状态在审 | 国家或地区CN | 申请人墨子实验室 |
分类号H10H20/822(2025.01), H10H20/832(2025.01), H10H20/833(2025.01), H10H20/01(2025.01), H10H20/81(2025.01) | 申请日2026-07-24 | 公开日2026-10-20 |
发布日期2026-10-20 | 文档 ID84597888676700005 | 源数据页码902 |
专利语言zh | ||
本发明提供了一种全光谱自然光芯片及其制备方法。全光谱自然光芯片包括p型半导体层、n型半导体层以及设置于p型半导体层与n型半导体层之间的非晶发光层。非晶发光层的材质为非晶LiGa5O8，非晶LiGa5O8具有反尖晶石结构，其中Li+占据四面体A位，Ga3+占据八面体B位和四面体A位；非晶LiGa5O8中掺杂有A位掺杂元素和B位掺杂元素，A位掺杂元素包括K、Na、Cu和Ag中的至少一种，用于替代Li+占据四面体A位；B位掺杂元素包括Mg，用于替代Ga3+占据八面体B位。本发明能够实现单一半导体芯片直接发射全光谱连续自然光的目的。
附图 1